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东芝将发展64层3D NAND Flash与晶圆代工

点击数:     更新时间:2025-12-01 05:02:45

  在记忆体以外的半导体事业方面2015年度东芝系统LSI与离散元件因在财报不实范围内需认列损失此两部门 合计营损率达到49.3%成东芝整体半导体事业亏损主因东芝已订2016年度此两部门转为营益率1.6%的目标将透过提升JSC产能利用率及主攻 具市场成长性的离散元件产品等方式达成2016年度其整体半导体事业盈余目标。

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